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LED面板灯外延片技术发展趋势

LED面板灯外延片中间部分的材料,事实上,LED的波长,亮度,正向电压,和其他主要光学参数基本上取决于晶片材料上。晶圆芯片制造技术和设备,关键技术是有机金属化学气相沉积法有机金属化学气相沉积,简称MOCVD技术III-V族,II-VI族化合物和一层薄薄的单晶合金主要的增长这里顺便说是LED面板灯外延片技术,一些未来的趋势发展。从LED的工作原理可知。

1,改进的两步生长过程?
两步生长过程中,当使用的商业化生产。但可以放置在有限数量的基板,六机相对经验丰富的,仍有约20个单位的机器然而,经验丰富的多几件,由此产生的非均匀性的主反应室的晶片在两个方向上的趋势是开发时间可以被加载到生长衬底晶片,更适合于大规模生产技术,以降低成本,另一个方向是一个高度自动化的,重复的单片器件。
2,氢化物气相外延HVPE技术?
? ? ? ?其他方法也可以使用同质外延生长衬底片。分开的衬底的GaN单晶薄GaNLED面板灯芯片的替代品。 HVPE法的缺陷是难以准确地控制反应气体,该设备具有腐蚀效果的厚度,利用这种技术可以快速生长厚的位错密度低的元素。进一步推进纯度氮化镓?
3,选择性外延膜生长或横向LED面板灯外延片生长技术?
位错误,可以进一步降低密度的GaN外延层,这种技术的使用。为了改善晶体质量。首先和最重要的,一个合适的基板(蓝宝石或碳化硅)层的GaN层,然后是一层多晶硅沉积在其上的掩模层,然后光刻和蚀刻技术氧化硅组合物窗口和掩模层为GaN的文章。 ,一个第一GaN外延膜生长的GaN窗口上,随后的生长过程中,并横向生长的SiO栏。
4,空缺的晶圆技术(Pendeo外延)
并进一步促进生长的GaN外延层的晶体质量。首先最重要的是,使用这种方法可以大大降低之间的衬底和外延层的外延层组成的许多晶格缺陷的晶格失配和热失配。合适的衬底6H-SiC或Si的增长,使用的过程中这两个过程,GaN外延层,然后蚀刻的膜的选择,总是深化到基板上。因此构成的GaN /缓冲层/衬底更换计划的柱状体和槽形状和生长GaN外延层,GaN外延层,浮在罐的顶部,原有的外延层生长的GaN外延晶片横向侧壁。通过这种方式,没有掩膜,GaN和腌膜材料之间的接触,以避免。



 

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